Aká je hlavná metóda používaná v technológii rastu led epitaxných plátkov?

Technológia rastu epitaxných plátkov LED využíva hlavne kovovo-organické chemické nanášanie pár (MOCVD). MOCVD je bežne používaná technológia epitaxného rastu, ktorá dokáže realizovať rast epitaxnej vrstvy pod presnou kontrolou prietoku reakčného plynu, teploty a tlaku. , atď. Medzi výhody MOCVD patrí schopnosť presne kontrolovať hrúbku a zloženie epitaxnej vrstvy, čo je vhodné pre sériovú výrobu a je hlavnou metódou výroby LED diód s ultra vysokým jasom. Medzi výhody MOCVD patrí schopnosť presne kontrolovať hrúbku a zloženie epitaxnej vrstvy, vďaka čomu je vhodná na hromadnú výrobu a je hlavnou metódou výroby LED diód s ultra vysokým jasom.

Okrem toho je epitaxia molekulárneho lúča (MBE) tiež dôležitou technológiou epitaxného rastu, MBE sa vykonáva v prostredí ultravysokého vákua, prostredníctvom kontroly intenzity atómového alebo molekulárneho lúča a uhla dopadu, epitaxiálny rast na substráte, MBE môže realizovať atómovú úroveň presného riadenia, vhodného na prípravu vysokokvalitnej, komplexnej štruktúry epitaxných plátkov, ale jeho výrobná účinnosť je nízka.

Ďalšie metódy epitaxného rastu zahŕňajú epitaxiu v parnej fáze (VPE) a epitaxiu v kvapalnej fáze (LPE.) VPE je jednoduchšia, ale menej účinná, zatiaľ čo LPE je produktívnejšia a vhodná na výrobu zariadení vyžarujúcich svetlo s vysokým jasom, ale jej rozsah aplikácia je pomerne obmedzená.